符號所代表的涵義如圖所示。柵極沒有電壓截止，給柵極施加電壓按綠色箭頭方向導通
原理：
N型半導體是4價二氧化硅中摻入5價元素，5價元素中的四個外層電子與二氧化硅形成穩定的共價鍵，從而半導體表現出多一個電子，整體帶負電，取Negative首字母N。
P型半導體是在二氧化硅中摻入3價元素，結合后，表現出多一個空穴，整體帶正點，取Positive首字母P。
給兩個N型半導體接兩個金屬板作為漏極和源極，上電后相當于兩個二極管，所以是截止的
為了導通，在P區加了二氧化硅絕緣層，外面加上金屬片形成了柵極，柵極金屬板上電后有電場，吸引電子，把P區電子吸引到金屬板附近，把空穴趕走，電壓越大，吸引的電子越多
吸引電子足夠多，形成N型半導體間通道簡稱N溝道，使得可以導通
特性1：柵極輸入阻抗很高，上億歐級別。因為有絕緣層存在，幾乎完全關閉了電子通道。所以輸入基本沒有電流
特性2：柵極易被靜電擊穿。因為柵極輸入阻抗高，感應電荷很難釋放，產生的高壓易把絕緣層擊穿，使MOS管永久損壞。失去了絕緣層，形成了柵極和源極電流
組成：
MOS管共有3個腳，柵極G，漏極D，源極S。D極和S極之間一般會有一個寄生二極管，所以，MOS管的符號通常是畫成下面這樣的。
可以看出，無論是N溝道還是P溝道，寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。
通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。在一般使用中，更多是使用N溝道增強型或者P溝道增強型MOS管，耗盡型的管子比較少使用到。
增強型是指：當=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。
耗盡型是指：當=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
導通條件：
MOS管從中間極輸出電壓，來控制其他兩個極電流，屬于電壓控制型半導體。導通是不需要電流，只要柵極G和源極S間提供一定的電壓 就可以導通。
柵極電壓大小決定了漏極流向源極電流大小
對于N溝道增強型的MOS管，當大于一定值時就會導通，這里所說的“一定值”是指開啟電壓，N溝道增強型(th)一般是 2~4V 之間。
對于P溝道增強型的MOS管，當小于一定值時就會導通，P溝道增強型(th)一般是 -2~-4V 之間。
使用MOS管做電子開關例子：
在MOS管內部結構里，G極與D極、S極實際上是有一層絕緣層二氧化硅進行隔離的，這就相當于存在一個電容器。所以具有寄生電容，如下圖所示：
電阻的作用為釋放寄生電感的電壓
上面電路加入電阻?，可以對電容的電壓進行及時的釋放，這樣有利于提高電路的可靠性，可以避免G極沒有控制信號時誤動作。
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