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      6. 單片機驅(qū)動MOS管電路圖原理與要素
        • 發(fā)布時間:2020-11-28 15:42:38
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        單片機驅(qū)動MOS管電路圖原理與要素
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖原理
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖:先了解一下單片機驅(qū)動mos管電路圖及原理,單片機驅(qū)動mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動什么東西, 要只是一個繼電器之類的小負(fù)載的話直接用51的引腳驅(qū)動就可以,要注意電感類負(fù)載要加保護二極管和吸收緩沖,最好用N溝道的MOS。
        如果驅(qū)動的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場合),最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等
        此時既要隔離傳送控制信號(例如PWM信號),也要給驅(qū)動級(MOS管的推動電路)傳送電能。常用的信號傳送有PC923、PC929、6N137、TL521等。
        至于電能的傳送可以用DC-DC模塊。MOS管有一種簡單的驅(qū)動方式:2SC1815+2SA1020,NPN與PNP一個用于MOS開啟驅(qū)動,一個用于MOS快速關(guān)斷。
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖
        MOS開關(guān)管損失
        MOS管驅(qū)動電路不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。
        現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。
        MOS在導(dǎo)通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。
        通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開關(guān)頻率越快,損失也越大。
        導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時間,可以減小每次導(dǎo)通時的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
        MOS管驅(qū)動
        跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個很容易做到,但是,我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實際上就是對電容的充放電。
        對電容的充電需要一個電流,因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
        MOS管驅(qū)動電路第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動的NMOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時 柵極電壓要比VCC大4V或10V。
        如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
        上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。
        MOS管驅(qū)動有哪些?
        1.電源IC直接驅(qū)動MOSFET
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖
        電源IC直接驅(qū)動是最常用的驅(qū)動方式,同時也是最簡單的驅(qū)動方式,使用這種驅(qū)動方式,應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊,其最大驅(qū)動峰值電流,因為不同芯片,驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。
        2.圖騰柱驅(qū)動MOS
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖
        如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動能力又不足時,需要在驅(qū)動電路上增強驅(qū)動能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動能力。
        這種驅(qū)動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時間,但是減少了關(guān)斷時間,開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
        3.加速MOS關(guān)斷
        單片機驅(qū)動MOS管電路圖
        關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。
        為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管,如圖所示,其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時間減小,同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。
        除了以上驅(qū)動電路之外,還有很多其它形式的驅(qū)動電路。對于各種各樣的驅(qū)動電路并沒有一種驅(qū)動電路是最好的,只有結(jié)合具體應(yīng)用,選擇最合適的驅(qū)動。
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