場效應管簡介
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
場效應管主要參數
(1)直流參數
飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。
夾斷電壓UP，它可定義為：當UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT，它可定義為：當UDS一定時，使ID到達某一個數值時所需的UGS。
(2)交流參數
低頻跨導gm，它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
極間電容，場效應管三個電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)極限參數
漏、源擊穿電壓，當漏極電流急劇上升時，產生雪崩擊穿時的UDS。
柵極擊穿電壓，結型場效應管正常工作時，柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀態，若電流過高，則產生擊穿現象。
場效應管的特點
場效應管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點：
（1）場效應管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID；
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管的抗輻射能力強。
下面我們通過表格把各種場效應管的符號和特性曲線表示出來：
場效應管的作用
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
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