在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數對電源設計工程師至關重要。
目前，影響開關電源電源效率最大的兩個損耗因素是：導通損耗和開關損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析。
導通損耗
導通損耗具體來講是由MOS管的導通阻抗Rds產生的，Rds與柵極驅動電壓Vgs和流經MOS管的電流有關。如果想要設計出效率更高、體積更小的電源，必須充分降低導通阻抗。如圖1所示是導通阻抗Rds、Vgs和Id的曲線圖：
圖1：導通阻抗Rds與Vgs和Id的曲線圖
開關損耗
柵極電荷Qg是產生開關損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門極充放電所需的能量，相同電流、電壓規格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開關過程中會損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開關損耗，工程師在電源設計過程中需要選擇同等規格下Qg更低的MOS管作為主功率開關管。如圖2所示是柵極電荷Qg與Vgs的曲線圖：
圖2：柵極電荷Qg與Vgs的曲線圖
MOS管選型
針對開關電源的應用，美國中央半導體（Central Semi）推出了一系列低Rds和Qg的功率MOSFET。代表型號為CDM2205-800FP，該MOS管具有以下性能優勢：
• 最大耐壓為800V
• 最大連續電流5A
• 導通阻抗低至2.2Ω
• 柵極電荷Qg僅為17.4nC
如圖3所示是CDM2205-800FP在反激開關電源中的應用。在電源設計器件選型中，首先根據電源的輸入電壓，確定器件所能承受的最大電壓，額定電壓越大，器件的成本就越高。然后需要確定 MOS管的額定電流，該額定電流應該是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。確保所選擇的MOS管能夠承受連續電流和脈沖尖峰。
圖3：CDM2205-800FP在反激開關電源中的應用
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